IRF5810 | IR (Infineon Technologies) IRF5810 | IRF5810 Inventory, Best Pricing

IRF5810

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRF5810
LIXINC Part #	IRF5810
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRF5810 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRF5810 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRF5810
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	2 P-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.9A
rds päällä (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	650pF @ 16V
teho - max:	960mW
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
toimittajan laitepaketti:	6-TSOP