SI5913DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI5913DC-T1-E3 | SI5913DC-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI5913DC-T1-E3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI5913DC-T1-E3
LIXINC Part #	SI5913DC-T1-E3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI5913DC-T1-E3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI5913DC-T1-E3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI5913DC-T1-E3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	LITTLE FOOT®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	84mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	1206-8 ChipFET™
paketti/laukku:	8-SMD, Flat Lead