GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 | GA20SICP12-247 Inventory, Best Pricing

GA20SICP12-247

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	GA20SICP12-247
LIXINC Part #	GA20SICP12-247
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	GA20SICP12-247 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

GA20SICP12-247 Tekniset tiedot

Osa numero:	GA20SICP12-247
Brändi:	GeneSiC Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	GeneSiC Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	45A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 20A
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3091 pF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	282W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247AB
paketti/laukku:	TO-247-3