TPC8111(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8111(TE12L,Q,M) | TPC8111(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8111(TE12L,Q,M)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPC8111(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8111(TE12L,Q,M)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPC8111(TE12L,Q,M) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPC8111(TE12L,Q,M) Tekniset tiedot

Osa numero:	TPC8111(TE12L,Q,M)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	107 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5710 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOP (5.5x6.0)
paketti/laukku:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)