BSB017N03LX3 G | IR (Infineon Technologies) BSB017N03LX3 G | BSB017N03LX3 G Inventory, Best Pricing

BSB017N03LX3 G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSB017N03LX3 G
LIXINC Part #	BSB017N03LX3 G
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSB017N03LX3 G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 20 - Sep 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSB017N03LX3 G Tekniset tiedot

Osa numero:	BSB017N03LX3 G
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	32A (Ta), 147A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	102 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7800 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
paketti/laukku:	3-WDSON