NDPL100N10BG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NDPL100N10BG

NDPL100N10BG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NDPL100N10BG
LIXINC Part #	NDPL100N10BG
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NDPL100N10BG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NDPL100N10BG Tekniset tiedot

Osa numero:	NDPL100N10BG
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V, 15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2950 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 110W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3