IRFSL33N15DTRRP | IR (Infineon Technologies) IRFSL33N15DTRRP | IRFSL33N15DTRRP Inventory, Best Pricing

IRFSL33N15DTRRP

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFSL33N15DTRRP
LIXINC Part #	IRFSL33N15DTRRP
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFSL33N15DTRRP PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFSL33N15DTRRP Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFSL33N15DTRRP
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	150 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	33A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	56mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2020 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-262
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA