RJK1002DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK1002DPN-E0#T2 | RJK1002DPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK1002DPN-E0#T2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RJK1002DPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJK1002DPN-E0#T2
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RJK1002DPN-E0#T2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RJK1002DPN-E0#T2 Tekniset tiedot

Osa numero:	RJK1002DPN-E0#T2
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	70A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	94 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6450 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3