BTS113AE3045ANTMA1 | IR (Infineon Technologies) BTS113AE3045ANTMA1 | BTS113AE3045ANTMA1 Inventory, Best Pricing

BTS113AE3045ANTMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BTS113AE3045ANTMA1
LIXINC Part #	BTS113AE3045ANTMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BTS113AE3045ANTMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BTS113AE3045ANTMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BTS113AE3045ANTMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	TEMPFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 5.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	560 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	40W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB