ZXMNS3BM832TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ZXMNS3BM832TA
LIXINC Part #	ZXMNS3BM832TA
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ZXMNS3BM832TA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ZXMNS3BM832TA Tekniset tiedot

Osa numero:	ZXMNS3BM832TA
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	2.9 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	314 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-MLP Dual Die (3x2)
paketti/laukku:	8-VDFN Exposed Pad