SPD08P06P | IR (Infineon Technologies) SPD08P06P | SPD08P06P Inventory, Best Pricing

SPD08P06P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SPD08P06P
LIXINC Part #	SPD08P06P
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SPD08P06P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SPD08P06P Tekniset tiedot

Osa numero:	SPD08P06P
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	SIPMOS®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8.83A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	42W (Tc)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63