IRFR13N20DTRR | IR (Infineon Technologies) IRFR13N20DTRR | IRFR13N20DTRR Inventory, Best Pricing

IRFR13N20DTRR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFR13N20DTRR
LIXINC Part #	IRFR13N20DTRR
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFR13N20DTRR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFR13N20DTRR Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFR13N20DTRR
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	235mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	830 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D-Pak
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63