6MS20017E43W37032NOSA1 | IR (Infineon Technologies) 6MS20017E43W37032NOSA1 | 6MS20017E43W37032NOSA1 Inventory, Best Pricing

6MS20017E43W37032NOSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	6MS20017E43W37032NOSA1
LIXINC Part #	6MS20017E43W37032NOSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 1700V 1200A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	6MS20017E43W37032NOSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

6MS20017E43W37032NOSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	6MS20017E43W37032NOSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Not For New Designs
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1700 V
virta - kollektori (ic) (max):	-
teho - max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-25°C ~ 55°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module