VS-ETF150Y65N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-ETF150Y65N
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65N
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 650V 201A 600W
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-ETF150Y65N PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-ETF150Y65N Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-ETF150Y65N
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	FRED Pt®
paketti:	Box
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	NPT
kokoonpano:	Half Bridge Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	201 A
teho - max:	600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
virta - kollektorin katkaisu (max):	-
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	-
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	-
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module