NSBA113EF3T5G | Rochester Electronics NSBA113EF3T5G | NSBA113EF3T5G Inventory, Best Pricing

NSBA113EF3T5G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NSBA113EF3T5G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NSBA113EF3T5G Tekniset tiedot

Osa numero:	NSBA113EF3T5G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	PNP - Pre-Biased
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vastus - kanta (r1):	1 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	1 kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	500nA
taajuus - siirtymä:	-
teho - max:	254 mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-1123
toimittajan laitepaketti:	SOT-1123