RN2108MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RN2108MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2108MFV,L3F
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Kuvaus	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RN2108MFV,L3F PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RN2108MFV,L3F Tekniset tiedot

Osa numero:	RN2108MFV,L3F
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - yksi, esijännite
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	PNP - Pre-Biased
virta - kollektori (ic) (max):	100 mA
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	50 V
vastus - kanta (r1):	22 kOhms
vastus - emitterikanta (r2):	47 kOhms
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce saturaatio (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
virta - kollektorin katkaisu (max):	500nA
taajuus - siirtymä:	-
teho - max:	150 mW
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOT-723
toimittajan laitepaketti:	VESM