MW6S010GNR1 | NXP Semiconductors MW6S010GNR1 | MW6S010GNR1 Inventory, Best Pricing

MW6S010GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MW6S010GNR1
LIXINC Part #	MW6S010GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MW6S010GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MW6S010GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MW6S010GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	960MHz
saada:	18dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	125 mA
teho - lähtö:	10W
jännite - nimellinen:	68 V
paketti/laukku:	TO-270BA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2 GULL

BLF8G10LS-270,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	854 Lisää tilauksesta
BLF8G22LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B	840 Lisää tilauksesta
BLP05H6110XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1085 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-150VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	948 Lisää tilauksesta
MCH3456-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	87882 Lisää tilauksesta
A2G26H281-04SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	964 Lisää tilauksesta
2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2823 Lisää tilauksesta
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	1000 Lisää tilauksesta
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	994 Lisää tilauksesta
BF256B	RF SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, JU	999 Lisää tilauksesta
MRF1K50HR5	HIGH POWER RF TRANSISTOR	1008 Lisää tilauksesta
PD85004	FET RF 40V 870MHZ	936 Lisää tilauksesta
MWT-173	FET RF 5V 12GHZ PKG 73	1629 Lisää tilauksesta