A2G26H281-04SR3 | NXP Semiconductors A2G26H281-04SR3 | A2G26H281-04SR3 Inventory, Best Pricing

A2G26H281-04SR3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2G26H281-04SR3
LIXINC Part #	A2G26H281-04SR3
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2G26H281-04SR3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2G26H281-04SR3 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2G26H281-04SR3
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.496GHz ~ 2.69GHz
saada:	14.2dB
jännite - testi:	48 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	150 mA
teho - lähtö:	50W
jännite - nimellinen:	125 V
paketti/laukku:	NI-780S-4L
toimittajan laitepaketti:	NI-780S-4L

2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2872 Lisää tilauksesta
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	817 Lisää tilauksesta
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	886 Lisää tilauksesta
BF256B	RF SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, JU	945 Lisää tilauksesta
MRF1K50HR5	HIGH POWER RF TRANSISTOR	1047 Lisää tilauksesta
PD85004	FET RF 40V 870MHZ	889 Lisää tilauksesta
MWT-173	FET RF 5V 12GHZ PKG 73	1636 Lisää tilauksesta
BLC9H10XS-606AZ	BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP	918 Lisää tilauksesta
MRF9135LR5	FET RF 65V 880MHZ NI-780	950 Lisää tilauksesta
IRFAC30	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1298 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-160PVZ	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-1	1033 Lisää tilauksesta
BLF0910H9LS600U	BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY	964 Lisää tilauksesta
BLF6G38-100,112	RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI	929 Lisää tilauksesta