MRF6P18190HR6 | Rochester Electronics MRF6P18190HR6 | MRF6P18190HR6 Inventory, Best Pricing

MRF6P18190HR6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF6P18190HR6
LIXINC Part #	MRF6P18190HR6
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF K BAND, N-CHANNEL
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF6P18190HR6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF6P18190HR6 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF6P18190HR6
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	1.805GHz ~ 1.88GHz
saada:	15.9dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	10µA
melukuva:	-
virta - testi:	2 A
teho - lähtö:	44W
jännite - nimellinen:	68 V
paketti/laukku:	NI-1230
toimittajan laitepaketti:	NI-1230

MW6S010GNR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL	1652 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	862 Lisää tilauksesta
BLF8G22LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B	808 Lisää tilauksesta
BLP05H6110XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1066 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-150VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	833 Lisää tilauksesta
MCH3456-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	87879 Lisää tilauksesta
A2G26H281-04SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	814 Lisää tilauksesta
2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2919 Lisää tilauksesta
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	939 Lisää tilauksesta
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	854 Lisää tilauksesta
BF256B	RF SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, JU	847 Lisää tilauksesta
MRF1K50HR5	HIGH POWER RF TRANSISTOR	888 Lisää tilauksesta
PD85004	FET RF 40V 870MHZ	829 Lisää tilauksesta