BLS7G3135LS-350P,1 | Ampleon BLS7G3135LS-350P,1 | BLS7G3135LS-350P,1 Inventory, Best Pricing

BLS7G3135LS-350P,1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLS7G3135LS-350P,1
LIXINC Part #	BLS7G3135LS-350P,1
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLS7G3135LS-350P,1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLS7G3135LS-350P,1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLS7G3135LS-350P,1
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Not For New Designs
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	3.5GHz
saada:	10dB
jännite - testi:	32 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	200 mA
teho - lähtö:	320W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT539B
toimittajan laitepaketti:	SOT539B

BLF6G13L-250P,112	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A	989 Lisää tilauksesta
BLF2425M9L30U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A	997 Lisää tilauksesta
MRF377HR3	RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE	856 Lisää tilauksesta
BF5030RE6327	N-CHANNEL POWER MOSFET	945 Lisää tilauksesta
MRF1K50GNR5	RF MOSFET LDMOS 50 OM1230G	848 Lisää tilauksesta
BLP0427M9S20Z	BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP	830 Lisää tilauksesta
IRF225	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1262 Lisää tilauksesta
A2I20H060GNR1	IC TRANS RF LDMOS	1475 Lisää tilauksesta
IRFAE20	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	879 Lisää tilauksesta
MRFE6VP6300GSR5	FET RF 50V 600MHZ NI780-4	923 Lisää tilauksesta
BF998E6327HTSA1	MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143	8766 Lisää tilauksesta
SCH2822-TL-E	PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	285840 Lisää tilauksesta
VRF151	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174	879 Lisää tilauksesta