A2I20H060GNR1 | NXP Semiconductors A2I20H060GNR1 | A2I20H060GNR1 Inventory, Best Pricing

A2I20H060GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2I20H060GNR1
LIXINC Part #	A2I20H060GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC TRANS RF LDMOS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2I20H060GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2I20H060GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2I20H060GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	1.84GHz
saada:	28.9dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	24 mA
teho - lähtö:	12W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	TO-270-14 Variant, Gull Wing
toimittajan laitepaketti:	TO-270WBG-15

IRFAE20	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	846 Lisää tilauksesta
MRFE6VP6300GSR5	FET RF 50V 600MHZ NI780-4	981 Lisää tilauksesta
BF998E6327HTSA1	MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143	8818 Lisää tilauksesta
SCH2822-TL-E	PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	285898 Lisää tilauksesta
VRF151	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174	911 Lisää tilauksesta
BLM8G0710S-45ABY	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	1085 Lisää tilauksesta
BLF182XRSU	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	990 Lisää tilauksesta
CGH27030F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1145 Lisää tilauksesta
AFV10700HSR5	RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L	888 Lisää tilauksesta
BLF8G24LS-150GVJ	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C	1091 Lisää tilauksesta
MRF151G	FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04	926 Lisää tilauksesta
BLS6G3135-120,112	RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A	823 Lisää tilauksesta
MRF6V13250HR5	RF L BAND, N-CHANNEL	1409 Lisää tilauksesta