MRF6P21190HR5 | NXP Semiconductors MRF6P21190HR5 | MRF6P21190HR5 Inventory, Best Pricing

MRF6P21190HR5

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF6P21190HR5
LIXINC Part #	MRF6P21190HR5
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF6P21190HR5 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF6P21190HR5 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF6P21190HR5
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.12GHz
saada:	15.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1.9 A
teho - lähtö:	44W
jännite - nimellinen:	68 V
paketti/laukku:	NI-1230
toimittajan laitepaketti:	NI-1230

BLF7G20LS-200,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	1041 Lisää tilauksesta
BLP05H6350XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	920 Lisää tilauksesta
MRF8P9040GNR1	FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270	959 Lisää tilauksesta
PD85035S-E	FET RF 40V 870MHZ	982 Lisää tilauksesta
MRF6S27085HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	921 Lisää tilauksesta
PD85025S-E	FET RF 40V 870MHZ	871 Lisää tilauksesta
CGHV14800F	RF MOSFET HEMT 50V 440117	1030 Lisää tilauksesta
BLF7G22LS-250P,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B	847 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-160,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	857 Lisää tilauksesta
BLF7G10LS-250,112	N-CHANNEL, MOSFET	876 Lisää tilauksesta
BLD6G21L-50,112	RF TRANSISTOR	890 Lisää tilauksesta
BLF6G20LS-110,112	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	811 Lisää tilauksesta
BLP05H635XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	834 Lisää tilauksesta