MRF8P9040GNR1 | NXP Semiconductors MRF8P9040GNR1 | MRF8P9040GNR1 Inventory, Best Pricing

MRF8P9040GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF8P9040GNR1
LIXINC Part #	MRF8P9040GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF8P9040GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF8P9040GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF8P9040GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	960MHz
saada:	19.1dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	320 mA
teho - lähtö:	4W
jännite - nimellinen:	70 V
paketti/laukku:	TO-270BB
toimittajan laitepaketti:	TO-270 WB-4 Gull

PD85035S-E	FET RF 40V 870MHZ	934 Lisää tilauksesta
MRF6S27085HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	963 Lisää tilauksesta
PD85025S-E	FET RF 40V 870MHZ	868 Lisää tilauksesta
CGHV14800F	RF MOSFET HEMT 50V 440117	1016 Lisää tilauksesta
BLF7G22LS-250P,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B	873 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-160,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	859 Lisää tilauksesta
BLF7G10LS-250,112	N-CHANNEL, MOSFET	1024 Lisää tilauksesta
BLD6G21L-50,112	RF TRANSISTOR	971 Lisää tilauksesta
BLF6G20LS-110,112	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	934 Lisää tilauksesta
BLP05H635XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	974 Lisää tilauksesta
BLL1214-250	RF PFET, 1-ELEMENT, L BAND, SILI	943 Lisää tilauksesta
BLS6G2735LS-30,112	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B	987 Lisää tilauksesta
MRF6S9045NR1	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	970 Lisää tilauksesta