BLP8G27-10Z | Ampleon BLP8G27-10Z | BLP8G27-10Z Inventory, Best Pricing

BLP8G27-10Z

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLP8G27-10Z
LIXINC Part #	BLP8G27-10Z
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLP8G27-10Z PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLP8G27-10Z Tekniset tiedot

Osa numero:	BLP8G27-10Z
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	2.14GHz
saada:	17dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	110 mA
teho - lähtö:	2W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	16-VDFN Exposed Pad
toimittajan laitepaketti:	16-HVSON (6x4)

BLF8G10LS-270GVJ	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	1078 Lisää tilauksesta
MRF6V3090NR1	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	974 Lisää tilauksesta
BLF174XR,112	RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A	942 Lisää tilauksesta
MRF5S9150HR5	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	969 Lisää tilauksesta
CGH35240F	240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET	995 Lisää tilauksesta
MRF8S9200NR3	FET RF 70V 940MHZ OM780-2	881 Lisää tilauksesta
BLC10G18XS-550AVTY	BLC10G18XS-550AVT/SOT1258/REEL	945 Lisää tilauksesta
CGHV40320D-GP4	RF MOSFET HEMT 50V DIE	971 Lisää tilauksesta
MRF6P21190HR5	RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230	897 Lisää tilauksesta
BLF7G20LS-200,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	1001 Lisää tilauksesta
BLP05H6350XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	855 Lisää tilauksesta
MRF8P9040GNR1	FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270	992 Lisää tilauksesta
PD85035S-E	FET RF 40V 870MHZ	867 Lisää tilauksesta