HGT1S3N60A4DS9A | Rochester Electronics HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S3N60A4DS9A Inventory, Best Pricing

HGT1S3N60A4DS9A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HGT1S3N60A4DS9A
LIXINC Part #	HGT1S3N60A4DS9A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	N-CHANNEL IGBT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HGT1S3N60A4DS9A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HGT1S3N60A4DS9A Tekniset tiedot

Osa numero:	HGT1S3N60A4DS9A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
igbt tyyppi:	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	17 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 3A
teho - max:	70 W
vaihtoenergiaa:	37µJ (on), 25µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	21 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	6ns/73ns
testi kunto:	390V, 3A, 50Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	29 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB