HGT1S12N60A4DS | Rochester Electronics HGT1S12N60A4DS | HGT1S12N60A4DS Inventory, Best Pricing

HGT1S12N60A4DS

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HGT1S12N60A4DS
LIXINC Part #	HGT1S12N60A4DS
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HGT1S12N60A4DS PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HGT1S12N60A4DS Tekniset tiedot

Osa numero:	HGT1S12N60A4DS
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	54 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
teho - max:	167 W
vaihtoenergiaa:	55µJ (on), 50µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	120 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	17ns/96ns
testi kunto:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	30 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB