RGTVX6TS65GC11 | ROHM Semiconductor RGTVX6TS65GC11 | RGTVX6TS65GC11 Inventory, Best Pricing

RGTVX6TS65GC11

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RGTVX6TS65GC11
LIXINC Part #	RGTVX6TS65GC11
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RGTVX6TS65GC11 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RGTVX6TS65GC11 Tekniset tiedot

Osa numero:	RGTVX6TS65GC11
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	144 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	320 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 80A
teho - max:	404 W
vaihtoenergiaa:	2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	171 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	45ns/201ns
testi kunto:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	TO-247N