RGT30TM65DGC9 | ROHM Semiconductor RGT30TM65DGC9 | RGT30TM65DGC9 Inventory, Best Pricing

RGT30TM65DGC9

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RGT30TM65DGC9
LIXINC Part #	RGT30TM65DGC9
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	FIELD STOP TRENCH IGBT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RGT30TM65DGC9 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RGT30TM65DGC9 Tekniset tiedot

Osa numero:	RGT30TM65DGC9
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	14 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 15A
teho - max:	32 W
vaihtoenergiaa:	-
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	32 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	18ns/64ns
testi kunto:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	55 ns
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack
toimittajan laitepaketti:	TO-220NFM