IRFH8321TRPBF | Rochester Electronics IRFH8321TRPBF | IRFH8321TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8321TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH8321TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8321TRPBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	IRFH8321 - HEXFET POWER MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH8321TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH8321TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH8321TRPBF
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Ta), 83A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.6 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.4W (Ta), 54W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-TQFN Exposed Pad