SCT10N120AG | STMicroelectronics SCT10N120AG | SCT10N120AG Inventory, Best Pricing

SCT10N120AG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SCT10N120AG
LIXINC Part #	SCT10N120AG
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SCT10N120AG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SCT10N120AG Tekniset tiedot

Osa numero:	SCT10N120AG
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	20V
rds päällä (max) @ id, vgs:	690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 200°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	HiP247™
paketti/laukku:	TO-247-3