IRFS9N60ATRLPBF | Vishay / Siliconix IRFS9N60ATRLPBF | IRFS9N60ATRLPBF Inventory, Best Pricing

IRFS9N60ATRLPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFS9N60ATRLPBF
LIXINC Part #	IRFS9N60ATRLPBF
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFS9N60ATRLPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFS9N60ATRLPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFS9N60ATRLPBF
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	170W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB