RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor RD3L08BGNTL | RD3L08BGNTL Inventory, Best Pricing

RD3L08BGNTL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RD3L08BGNTL
LIXINC Part #	RD3L08BGNTL
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RD3L08BGNTL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RD3L08BGNTL Tekniset tiedot

Osa numero:	RD3L08BGNTL
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	71 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3620 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	119W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63