TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Inventory, Best Pricing

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
LIXINC Part #	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Tekniset tiedot

Osa numero:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	+10V, -20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	27W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK+
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63