GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 | GA05JT12-263 Inventory, Best Pricing

GA05JT12-263

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	GA05JT12-263
LIXINC Part #	GA05JT12-263
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	GA05JT12-263 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

GA05JT12-263 Tekniset tiedot

Osa numero:	GA05JT12-263
Brändi:	GeneSiC Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	GeneSiC Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	106W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK (7-Lead)
paketti/laukku:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA