NTMFS4C09NAT1G | Rochester Electronics NTMFS4C09NAT1G | NTMFS4C09NAT1G Inventory, Best Pricing

NTMFS4C09NAT1G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTMFS4C09NAT1G
LIXINC Part #	NTMFS4C09NAT1G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTMFS4C09NAT1G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTMFS4C09NAT1G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTMFS4C09NAT1G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9A (Ta), 52A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.9 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.252 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	760mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN, 5 Leads

FDP18N20F	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3	14142801 Lisää tilauksesta
NVMFS5C410NLAFT3G	MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN	986 Lisää tilauksesta
PXN017-30QLJ	PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33	3930 Lisää tilauksesta
SI2310-TP	MOSFET N-CH 60V 3A SOT23	861 Lisää tilauksesta
FDFMJ2P023Z	MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF	30925 Lisää tilauksesta
NVMFS4C01NT3G	MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN	915 Lisää tilauksesta
NTY100N10	MOSFET N-CH 100V 123A TO264	874 Lisää tilauksesta
IPZ65R045C7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 46A TO247	876 Lisää tilauksesta
BSC091N03MSCGATMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	35882 Lisää tilauksesta
FDN338P	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3	869 Lisää tilauksesta
BSC070N10LS5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON	2964 Lisää tilauksesta
SI7155DP-T1-GE3	MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK	6080 Lisää tilauksesta
TJ20S04M3L,LXHQ	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK	8752 Lisää tilauksesta