NVMFS5C410NLAFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C410NLAFT3G | NVMFS5C410NLAFT3G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C410NLAFT3G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVMFS5C410NLAFT3G
LIXINC Part #	NVMFS5C410NLAFT3G
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVMFS5C410NLAFT3G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVMFS5C410NLAFT3G Tekniset tiedot

Osa numero:	NVMFS5C410NLAFT3G
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Ta), 330A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	0.82mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	143 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8862 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN, 5 Leads

PXN017-30QLJ	PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33	3951 Lisää tilauksesta
SI2310-TP	MOSFET N-CH 60V 3A SOT23	980 Lisää tilauksesta
FDFMJ2P023Z	MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF	30834 Lisää tilauksesta
NVMFS4C01NT3G	MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN	935 Lisää tilauksesta
NTY100N10	MOSFET N-CH 100V 123A TO264	892 Lisää tilauksesta
IPZ65R045C7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 46A TO247	815 Lisää tilauksesta
BSC091N03MSCGATMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	35971 Lisää tilauksesta
FDN338P	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3	813 Lisää tilauksesta
BSC070N10LS5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON	2999 Lisää tilauksesta
SI7155DP-T1-GE3	MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK	6180 Lisää tilauksesta
TJ20S04M3L,LXHQ	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK	8777 Lisää tilauksesta
PH4840S,115	MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK56	8361 Lisää tilauksesta
HUFA76429D3S	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	4508 Lisää tilauksesta