IRFH4210DTRPBF | Rochester Electronics IRFH4210DTRPBF | IRFH4210DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4210DTRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH4210DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4210DTRPBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	HEXFET POWER MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH4210DTRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH4210DTRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH4210DTRPBF
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	44A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.812 pF @ 13 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN