IMW120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R045M1XKSA1 | IMW120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R045M1XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMW120R045M1XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IMW120R045M1XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IMW120R045M1XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IMW120R045M1XKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolSiC™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1.2 kV
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	52A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vgs (max):	+20V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.9 nF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	228W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO247-3-41
paketti/laukku:	TO-247-3