FDPF18N20FT-G | Rochester Electronics FDPF18N20FT-G | FDPF18N20FT-G Inventory, Best Pricing

FDPF18N20FT-G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDPF18N20FT-G
LIXINC Part #	FDPF18N20FT-G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDPF18N20FT-G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDPF18N20FT-G Tekniset tiedot

Osa numero:	FDPF18N20FT-G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	UniFET™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.18 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	35W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220F
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack