R6020KNZ4C13 | ROHM Semiconductor R6020KNZ4C13 | R6020KNZ4C13 Inventory, Best Pricing

R6020KNZ4C13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	R6020KNZ4C13
LIXINC Part #	R6020KNZ4C13
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	R6020KNZ4C13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

R6020KNZ4C13 Tekniset tiedot

Osa numero:	R6020KNZ4C13
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1550 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	231W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247
paketti/laukku:	TO-247-3