BUK6607-75C,118 | Rochester Electronics BUK6607-75C,118 | BUK6607-75C,118 Inventory, Best Pricing

BUK6607-75C,118

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BUK6607-75C,118
LIXINC Part #	BUK6607-75C,118
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BUK6607-75C,118 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BUK6607-75C,118 Tekniset tiedot

Osa numero:	BUK6607-75C,118
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	75 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	123 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7.6 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	204W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB