RMD1N25ES9 | Rectron USA RMD1N25ES9 | RMD1N25ES9 Inventory, Best Pricing

RMD1N25ES9

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RMD1N25ES9
LIXINC Part #	RMD1N25ES9
Valmistaja	Rectron USA
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RMD1N25ES9 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RMD1N25ES9 Tekniset tiedot

Osa numero:	RMD1N25ES9
Brändi:	Rectron USA
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rectron USA
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	25 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	30 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	800mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-363
paketti/laukku:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363