EPC2012C | EPC EPC2012C | EPC2012C Inventory, Best Pricing

EPC2012C

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	EPC2012C
LIXINC Part #	EPC2012C
Valmistaja	EPC
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	EPC2012C PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

EPC2012C Tekniset tiedot

Osa numero:	EPC2012C
Brändi:	EPC
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	EPC
sarja:	eGaN®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.3 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	Die Outline (4-Solder Bar)
paketti/laukku:	Die