TSM080N03EPQ56 RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM080N03EPQ56 RLG | TSM080N03EPQ56 RLG Inventory, Best Pricing

TSM080N03EPQ56 RLG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TSM080N03EPQ56 RLG
LIXINC Part #	TSM080N03EPQ56 RLG
Valmistaja	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TSM080N03EPQ56 RLG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TSM080N03EPQ56 RLG Tekniset tiedot

Osa numero:	TSM080N03EPQ56 RLG
Brändi:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	TSC (Taiwan Semiconductor)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	55A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	54W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-PDFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerTDFN