SI4442DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4442DY-T1-GE3 | SI4442DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4442DY-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4442DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4442DY-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4442DY-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4442DY-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4442DY-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	15A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.6W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMS3014SFGQ-13	MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8	866 Lisää tilauksesta
IXFA14N60P-TRL	MOSFET N-CH 600V 14A TO263	1624 Lisää tilauksesta
NTD3055L170-001	MOSFET N-CH 60V 9A IPAK	4022 Lisää tilauksesta
FQPF3N80C	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	930 Lisää tilauksesta
AUIRLR120NTRL	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK	3851 Lisää tilauksesta
STL25N15F3	MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT	4210 Lisää tilauksesta
IPT60R150G7XTMA1	MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF	2933 Lisää tilauksesta
SI3465DV-T1-GE3	MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP	992 Lisää tilauksesta
PHT6N06LT,135	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	427982 Lisää tilauksesta
DMT12H007LPS-13	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8	2972 Lisää tilauksesta
FQPF17N08	MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F	3891 Lisää tilauksesta
IRFR220BTM	N-CHANNEL POWER MOSFET	15709 Lisää tilauksesta
2SK3821-E	MOSFET N-CH 100V 40A SMP	19455 Lisää tilauksesta