DMT12H007LPS-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMT12H007LPS-13
LIXINC Part #	DMT12H007LPS-13
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMT12H007LPS-13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMT12H007LPS-13 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMT12H007LPS-13
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	90A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3224 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.9W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerDI5060-8
paketti/laukku:	8-PowerTDFN