SCT30N120 | STMicroelectronics SCT30N120 | SCT30N120 Inventory, Best Pricing

SCT30N120

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SCT30N120
LIXINC Part #	SCT30N120
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SCT30N120 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SCT30N120 Tekniset tiedot

Osa numero:	SCT30N120
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	20V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA (Typ)
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	270W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 200°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	HiP247™
paketti/laukku:	TO-247-3