RFD4N06LSM9A | Rochester Electronics RFD4N06LSM9A | RFD4N06LSM9A Inventory, Best Pricing

RFD4N06LSM9A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RFD4N06LSM9A
LIXINC Part #	RFD4N06LSM9A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RFD4N06LSM9A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RFD4N06LSM9A Tekniset tiedot

Osa numero:	RFD4N06LSM9A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	30W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252AA
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63