IPAN70R750P7SXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAN70R750P7SXKSA1 | IPAN70R750P7SXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAN70R750P7SXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPAN70R750P7SXKSA1
LIXINC Part #	IPAN70R750P7SXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPAN70R750P7SXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPAN70R750P7SXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPAN70R750P7SXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ P7
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	700 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 70µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	8.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	306 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	20.8W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220 Full Pack
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack