FDI047AN08A0 | Rochester Electronics FDI047AN08A0 | FDI047AN08A0 Inventory, Best Pricing

FDI047AN08A0

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDI047AN08A0
LIXINC Part #	FDI047AN08A0
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDI047AN08A0 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDI047AN08A0 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDI047AN08A0
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	75 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	138 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6.6 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	310W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAK (TO-262)
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA